Free bitcoin, bitcoin advertising, ptc

نحوه ی اختراع ترانزیستور

Rate this post

لامپ های خلاء مشکلات زیادی داشتند که از مهم ترین آن ها می توان به حجم زیاد ، نیاز به گرم شدن ، سرعت کم ، نیاز به ولتاژ بالا و همچنین راندمان پایین اشاره نمود.

اما در ۲۳ دسامبر ۱۹۴۷ برای اولین بار ، ترانزیستور به دنیای الکترونیک معرفی گردید.

این قطعه که در گروه بزرگترین اختراعات بشر قرار دارد ، توسط جان باردین ، والتر براتین و همکارانشان ویلیام شاکلی در قسمت AT&T کمپانی BELL ساخته شد.

این دانشمندان در سال ۱۹۵۶ میلادی توانستند ، افتخار دریافت جایزه نوبل فیزیک را به خود اختصاص دهند.

برای ساخت ترانزیستور ، سه قطعه از نیمه هادی های N و P را به گونه ای خاص به یکدیگر متصل می کنند و بسته به نوع انتخاب نیمه هادی ها ، دو مدل NPN و PNP قابل ساخت خواهد بود.

در شکل زیر نوع قرار گیری آن ها و مدل معادل دیودی ترانزیستور نشان داده شده است.

پایه های ترانزیستور را بیس (Base) ، امیتر (Emitter) و کلکتور (Collector) اسم گذاری کرده اند.

به این گونه از ترانزیستور ها اختصارا “اتصال دو قطبی” یا Bipolar Junction Transistor) BJT) می گویند ، یعنی ترانزیستور هایی که جابه جایی حفره الکترون بین دو پیوند باعث عبور جریان می گردد.

در شکل زیر نماد فنی ترانزیستور در مدارات الکترونیکی نشان داده شده است:


ساختمان ترانزیستور:

برای درک بهتر از نحوه ی عملکرد ترانزیستور ، لازم است تا شناخت صحیحی از درون آن داشته و بتوانیم معادل دیودی آن را ترسیم نماییم.

در ساخت ترانزیستور ، لایه وسط  (بیس ) بسیار نازک و دارای ناخالصی کمی بوده و بر عکس آن کلکتور صفجه ای بسیار بزرگ است و نا خالصی متوسطی دارد

لایه امیتر ، دارای ناخالصی بسیار زیادی است.

فیسبوک توییتر گوگل + لینکداین تلگرام واتس اپ کلوب

Free bitcoin, bitcoin advertising, ptc

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *